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Transistori
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MOSFET
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 190 mA, SOT-223, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2250557
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
BSS123IXTSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Infineon BSS123I è un MOSFET a canale N e P di potenza piccolo e a segnale ridotto che offre unampia gamma di livelli VGS(th) e valori RDS(on), nonché classi di tensione multiple. Questo MOSFET è dotato di opzioni di ottimizzazione e modalità di svuotamento.Spazio su circuito stampato e risparmio sui costi Flessibilità dello stadio pilota Riduzione della complessità di progettazione Ecologico Elevata efficienza complessiva
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
190 mA
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Modalità del canale:
Depletion
Tensione di soglia gate massima:
1.8V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2250557
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
BSS123IXTSA1
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