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MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 137,5 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2259932
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIR5802DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 137,5 A
Tensione massima drain source = 80 V
Serie = N-Channel 80 V
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,004 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
137,5 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PowerPak SO-8
Serie:
N-Channel 80 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,004 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2259932, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIR5802DPT1RE3
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