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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 25 A, canale N, EasyPIM


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N. Articolo:
     3369E-2266059
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP25R12W2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Il modulo IGBT PIM Infineon da 25 A ha un design compatto e utilizza la tecnologia dei contatti PRESSFIT. Ha una bassa tensione di stato ON VCEsat.Funzionamento in sovraccarico fino a 175 °C. Isolamento 2,5 kV c.a. 1min Substrato Al2O3 con bassa resistenza termica
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
25 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
7
Configurazione:
Hex
Tipo di package:
EasyPIM
Tipo di canale:
N
Numero pin:
23
Altri termini di ricerca: 2266059, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP25R12W2T7B11BPSA1
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