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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO263


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N. Articolo:
     3369E-2266062
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IGB50N65S5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.VCEsat molto bassa di 1,35 V a 25°C. Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C. quattro volte la corrente nominale
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
30V
Dissipazione di potenza massima:
270 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO263
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 2266062, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGB50N65S5ATMA1
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