Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2266063 N. Art. Produtt.:
IGB50N65S5ATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Corrente massima continuativa collettore = 80 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 30V
Dissipazione di potenza massima = 270 W
Tipo di package = PG-TO263
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 80 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | 30V | Dissipazione di potenza massima: | 270 W | Numero di transistor: | 1 | Configurazione: | Single | Tipo di package: | PG-TO263 | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
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| Altri termini di ricerca: 2266063, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGB50N65S5ATMA1 |
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