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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 34 A, canale N, PG-TO220
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2266081
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IKA15N65ET6XKSA2
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 34 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 30V
Dissipazione di potenza massima = 35,3 W.
Tipo di package = PG-TO220
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
34 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
30V
Dissipazione di potenza massima:
35,3 W.
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO220
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2266081
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IKA15N65ET6XKSA2
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