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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 6,5 A, canale N, PG-TO252


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2266096
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKD06N60RFATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 6,5 A
Tensione massima collettore emitter = 600 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 53,6 W.
Tipo di package = PG-TO252
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
6,5 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
53,6 W.
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO252
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: 2266096, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKD06N60RFATMA1
Riepilogo condizioni1
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