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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, PG-TO252
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2266099
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IKD15N60RFATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Infineon IKD03N60RF offre una maggiore affidabilità grazie allIGBT e diodo integrati monoliticamente grazie a un minor numero di cicli termici durante la commutazione. Ha prestazioni di commutazione regolari che portano a un basso livello EMI e la sua gamma di funzionamento è da 4 a 30kHz.Distribuzione dei parametri molto rigida Temperatura di giunzione massima 175 °C. Capacità di corto circuito di 5μs
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO252
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
smd transistor
,
2266099
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IKD15N60RFATMA1
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