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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2266116
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IKW50N65EH5XKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Infineon IKW50N65EH5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.Fattore 2,5 Qg inferiore Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione 200mV riduzione di VCEsat
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
30V
Dissipazione di potenza massima:
275 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
PG-TO247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2266116
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IKW50N65EH5XKSA1
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