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MOSFET Vishay, canale N, 0.08 Ω, 35 A, TO247AC, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2282864
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SiHG080N60E-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 35 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = E Series
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0.08 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
35 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO247AC
Serie:
E Series
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0.08 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2282864, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SiHG080N60EGE3
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