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MOSFET Vishay, canale P, 0,0058 Ω, 150 A, TO-220AB, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2282988
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUP60061EL-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 150 A
Tensione massima drain source = 80 V
Serie = TrenchFET
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0058 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
150 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0058 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2282988, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SUP60061ELGE3
Riepilogo condizioni1
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