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MOSFET Infineon, canale N, 0,0012 Ω, 300 A, HSOF-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2291811
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IAUT300N08S5N012ATMA2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura desercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
300 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
HSOF-8
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0012 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2291811, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IAUT300N08S5N012ATMA2
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