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MOSFET Infineon, canale N, 0,042 Ω, 58 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2320385
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW65R030M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 58 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,042 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5.7V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
58 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,042 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5.7V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2320385, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMW65R030M1HXKSA1
Riepilogo condizioni1
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