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Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,094 Ω, 26 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2320394
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IMW65R072M1HXKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 26 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = CoolSiC
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,094 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5.7V
Materiale del transistor = Silicone
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
26 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
CoolSiC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,094 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5.7V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
2320394
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IMW65R072M1HXKSA1
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€ 4,896*
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Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,88*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partire da € 3,578*
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