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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2326702
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP150R12N3T7BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Corrente massima continuativa collettore = 150 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Numero di transistor = 7
Tipo di package = Modulo
Tipo di montaggio = Montaggio a telaio
Tipo di canale = N
Numero pin = 43
Configurazione transistor = Trifase
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
150 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
7
Configurazione:
Trifase
Tipo di package:
Modulo
Tipo di montaggio:
Montaggio a telaio
Tipo di canale:
N
Numero pin:
43
Configurazione transistor:
Trifase
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, 2326702, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP150R12N3T7BPSA1
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