Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 3369E-2326738 N. Art. Produtt.: IKWH30N65WR6XKSA1 EAN/GTIN: n.d. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 83 W Tipo di package = TO-247-3-HCC Tipo di montaggio = Su foro Tipo di canale = N Numero pin = 3 Configurazione transistor = Singolo Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 30 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 83 W | Numero di transistor: | 1 | Configurazione: | Single | Tipo di package: | TO-247-3-HCC | Tipo di montaggio: | Su foro | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2326738, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKWH30N65WR6XKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |