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MOSFET Infineon, canale N, 0,0012 Ω, 396 A, PG HDSOP-16 (TOLT), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2334373
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPTC012N08NM5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 396 A
Tensione massima drain source = 80 V
Serie = OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 16
Resistenza massima drain source = 0,0012 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.8V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
396 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PG HDSOP-16 (TOLT)
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
16
Resistenza massima drain source:
0,0012 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.8V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2334373, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPTC012N08NM5ATMA1
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