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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 23 A, canale N, TO-3PFM


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N. Articolo:
     3369E-2352736
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGTV80TK65DGVC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 23 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±30V
Dissipazione di potenza massima = 85 W
Tipo di package = TO-3PFM
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Emettitore comune
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
23 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±30V
Dissipazione di potenza massima:
85 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
TO-3PFM
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Emettitore comune
Altri termini di ricerca: 2352736, Semiconduttori, Discreti, IGBT, ROHM, RGTV80TK65DGVC11
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