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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247N
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2352748
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RGW60TS65CHRC11
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 30 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±30V
Dissipazione di potenza massima = 178 W
Tipo di package = TO-247N
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Emettitore comune
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±30V
Dissipazione di potenza massima:
178 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Single
Tipo di package:
TO-247N
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Emettitore comune
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2352748
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
ROHM
,
RGW60TS65CHRC11
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