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MOSFET Toshiba, canale N, 2,6 e+006 Ω, 168 A, SOP, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2363629
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPH2R608NH,L1Q(M
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 168 A
Tensione massima drain source = 75 V
Tipo di package = SOP
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 2,6 e+006 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Materiale del transistor = Silicone
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
168 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
SOP
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
2,6 e+006 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2363629, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TPH2R608NH,L1Q(M
Riepilogo condizioni1
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