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Modulo IGBT Infineon, VCE 3.300 V., IC 825 A., AG-IHVB130


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2365199
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FZ825R33HE4DBPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 825 A.
Tensione massima collettore emitter = 3.300 V.
Dissipazione di potenza massima = 2.400 kW
Configurazione = Single
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
825 A.
Tensione massima collettore emitter:
3.300 V.
Dissipazione di potenza massima:
2.400 kW
Numero di transistor:
2
Configurazione:
Single
Tipo di package:
AG-IHVB130
Altri termini di ricerca: 2365199, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FZ825R33HE4DBPSA1
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