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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 10 A, TO-263L


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N. Articolo:
     3369E-2374378
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGT20NL65GTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 10 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±30V
Dissipazione di potenza massima = 106 W
Tipo di package = TO-263L
Numero pin = 3
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
10 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±30V
Dissipazione di potenza massima:
106 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-263L
Numero pin:
3
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 2374378, Semiconduttori, Discreti, IGBT, ROHM, RGT20NL65GTL
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