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MOSFET Vishay, canale N, 296 A, PowerPAK 8 x 8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2398676
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJQ112E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 296 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = PowerPAK 8 x 8L
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 4
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
296 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
PowerPAK 8 x 8L
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
4
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2398676, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQJQ112ET1_GE3
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