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MOSFET Infineon, canale N, 101 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2406635
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IQE050N08NM5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 101 A
Tensione massima drain source = 80 V
Tipo di package = PQFN 3 x 3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
101 A
Tensione massima drain source:
80 V
Tipo di package:
PQFN 3 x 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2406635, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IQE050N08NM5ATMA1
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