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IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247-4LD


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2410726
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FGH4L50T65SQD
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 80 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 15V
Dissipazione di potenza massima = 268 W
Tipo di package = TO-247-4LD
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
80 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
15V
Dissipazione di potenza massima:
268 W
Numero di transistor:
30
Tipo di package:
TO-247-4LD
Altri termini di ricerca: 2410726, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, FGH4L50T65SQD
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