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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3


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N. Articolo:
     3369E-2442918
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKW50N65WR5XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 50 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 282 W
Tipo di package = PG-TO247-3
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
50 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
282 W
Tipo di package:
PG-TO247-3
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 2442918, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKW50N65WR5XKSA1
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