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Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2445370
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     F475R06W1E3BOMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 100 A
Tensione massima collettore emitter = 600 V
Tensione massima gate emitter = +/-20V
Numero di transistor = 4
Configurazione = Emettitore-collettore, quad (2 x doppio)
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
+/-20V
Dissipazione di potenza massima:
275 W
Numero di transistor:
4
Configurazione:
Emettitore-collettore, quad (2 x doppio)
Altri termini di ricerca: 2445370, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, F475R06W1E3BOMA1
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