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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2445835
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP50R12KE3BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 75 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Numero di transistor = 7
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
280 W
Numero di transistor:
7
Altri termini di ricerca: 2445835, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP50R12KE3BOSA1
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