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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro)


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2456963
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NXH100B120H3Q0SG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Corrente massima continuativa collettore = 61 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 186 W
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
61 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
186 W
Numero di transistor:
2
Tipo di package:
Pin a saldare per contenitore 180AJ (senza piombo e alogenuro)
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, 2456963, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0SG
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