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MOSFET DiodesZetex, canale N, 0.028 Ω, 9 A, U-DFN2030, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2466788
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN2014LHAB-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 9 A
Tensione massima drain source = 20 V
Tipo di package = U-DFN2030
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 6
Resistenza massima drain source = 0.028 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 1.1V
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
U-DFN2030
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
0.028 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.1V
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 2466788, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMN2014LHAB13
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