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MOSFET Infineon, canale N, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2496902
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB35N10S3L26ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 35 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
35 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2496902, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB35N10S3L26ATMA1
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