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MOSFET Infineon, canale P, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2496907
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB80P03P4L04ATMA2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 80 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 2496907, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB80P03P4L04ATMA2
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