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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A


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N. Articolo:
     3369E-2539851
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS200R12N3T7BPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 200 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
200 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 2539851, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS200R12N3T7BPSA1
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