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IGBT Infineon, VCE 600 V, PG-TO252-3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2581000
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKD06N60RC2ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
2581000
Semiconduttori
Discreti
IGBT
Tensione massima collettore emitter = 600 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Tipo di package = PG-TO252-3
Altre informazioni:
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Tipo di package:
PG-TO252-3
Altri termini di ricerca: Infineon, IKD06N60RC2ATMA1
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