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MOSFET Infineon, canale N, 11 A, PG-TO263-3, SMD


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2583809
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB60R299CPAATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 11 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = PG-TO263-3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
11 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
PG-TO263-3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Altri termini di ricerca: 2583809, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB60R299CPAATMA1
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