Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 3369E-2605869 N. Art. Produtt.: IRFP3006PBF EAN/GTIN: n.d. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 270 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Modalità del canale = Enhancement Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 270 A | Tensione massima drain source: | 60 V | Tipo di package: | TO-247 | Serie: | HEXFET | Tipo di montaggio: | Su foro | Numero pin: | 3 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Silicone |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2605869, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFP3006PBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |