Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2608887 N. Art. Produtt.:
FF50R12RT4HOSA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Corrente massima continuativa collettore = 50 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 285 W
Tipo di package = AG-34MM
Tipo di montaggio = Montaggio a telaio Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 50 A | Tensione massima collettore emitter: | 1200 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 285 W | Numero di transistor: | 2 | Configurazione: | Dual | Tipo di package: | AG-34MM | Tipo di montaggio: | Montaggio a telaio |
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| Altri termini di ricerca: transistor igbt, 2608887, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FF50R12RT4HOSA1 |
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