Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2625867 N. Art. Produtt.: IPD038N06NF2SATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 120 A Tensione massima drain source = 60 V Tipo di package = PG-TO252-3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Modalità del canale = Enhancement Materiale del transistor = SiC Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 120 A | Tensione massima drain source: | 60 V | Tipo di package: | PG-TO252-3 | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 3 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | SiC |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2625867, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPD038N06NF2SATMA1 |
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