Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2625867 N. Art. Produtt.:
IPD038N06NF2SATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 120 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = PG-TO252-3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Modalità del canale = Enhancement
Materiale del transistor = SiC Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 120 A | Tensione massima drain source: | 60 V | Tipo di package: | PG-TO252-3 | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 3 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | SiC |
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| Altri termini di ricerca: 2625867, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPD038N06NF2SATMA1 |
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