Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2625879 N. Art. Produtt.: IPF013N04NF2SATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 232 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = PG-TO263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Modalità del canale = Enhancement Numero di elementi per chip = 2 Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 232 A | Tensione massima drain source: | 40 V | Tipo di package: | PG-TO263-7 | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 7 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | SiC |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2625879, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPF013N04NF2SATMA1 |
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