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MOSFET Infineon, canale N, 140 A, TO-220AB, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2626729
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF3808PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 140 A
Tensione massima drain source = 75 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 2
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
140 A
Tensione massima drain source:
75 V
Tipo di package:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
2
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2626729, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF3808PBF
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