Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2688296 N. Art. Produtt.: SIHG085N60EF-GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 34 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = TO-247AC Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Modalità del canale = Enhancement Materiale del transistor = Silicone Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 34 A | Tensione massima drain source: | 650 V | Tipo di package: | TO-247AC | Tipo di montaggio: | Su foro | Numero pin: | 3 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | Silicone |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2688296, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHG085N60EFGE3 |
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