Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 3369E-2688301 N. Art. Produtt.: SIHH085N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 30 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = PowerPAK 8 x 8 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 4 Modalità del canale = Enhancement Numero di elementi per chip = 2 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 30 A | Tensione massima drain source: | 650 V | Tipo di package: | PowerPAK 8 x 8 | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 4 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2688301, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHH085N60EFT1GE3 |
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