Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2688307 N. Art. Produtt.:
SIHK085N60EF-T1GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 30 A
Tensione massima drain source = 650 V
Tipo di package = PowerPAK 10 x 12
Tipo di montaggio = Montaggio su circuito stampato
Numero pin = 8
Modalità del canale = Enhancement
Materiale del transistor = Silicone Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 30 A | Tensione massima drain source: | 650 V | Tipo di package: | PowerPAK 10 x 12 | Tipo di montaggio: | Montaggio su circuito stampato | Numero pin: | 8 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2688307, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHK085N60EFT1GE3 |
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