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MOSFET Infineon, canale N, 26 A, TO-263, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2732771
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMBG120R090M1HXTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 26 A
Tensione massima drain source = 1200 V
Tipo di package = TO-263
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 7
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
26 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
TO-263
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
7
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
SiC
Altri termini di ricerca: 2732771, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IMBG120R090M1HXTMA1
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