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IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 200 A, canale N, 62MMHB


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N. Articolo:
     3369E-2732916
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FF200R17KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Corrente massima continuativa collettore = 200 A
Tensione massima collettore emitter = 1700 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 1250 W
Tipo di package = 62MMHB
Tipo di montaggio = Montaggio a pannello
Tipo di canale = N
Numero pin = 7
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
200 A
Tensione massima collettore emitter:
1700 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
1250 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Emettitore comune
Tipo di package:
62MMHB
Tipo di montaggio:
Montaggio a pannello
Tipo di canale:
N
Numero pin:
7
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, 2732916, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FF200R17KE4HOSA1
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