Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2737402 N. Art. Produtt.:
FP50R12KT3BOSA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Corrente massima continuativa collettore = 75 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = +/-20V
Dissipazione di potenza massima = 280 W
Tipo di package = Modulo
Tipo di montaggio = Montaggio a pannello Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 75 A | Tensione massima collettore emitter: | 1200 V | Tensione massima gate emitter: | +/-20V | Dissipazione di potenza massima: | 280 W | Tipo di package: | Modulo | Tipo di montaggio: | Montaggio a pannello |
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| Altri termini di ricerca: Modulo IGBT, Moduli IGBT, FET di giunzione, Transistor, Transistor di potenza, Transistori, Transistore, modulo diodo, 2737402, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP50R12KT3BOSA1 |
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