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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, Modulo


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2737403
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP50R12KT3BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
modulo igbt
Corrente massima continuativa collettore = 75 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = +/-20V
Dissipazione di potenza massima = 280 W
Tipo di package = Modulo
Tipo di montaggio = Montaggio a pannello
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
+/-20V
Dissipazione di potenza massima:
280 W
Tipo di package:
Modulo
Tipo di montaggio:
Montaggio a pannello
Altri termini di ricerca: 2737403, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP50R12KT3BOSA1
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