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MOSFET Vishay, canale N, 21 A, TO-247AC, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2799912
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHG155N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 21 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = TO-247AC
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
21 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247AC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Modalità del canale:
Enhancement
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2799912, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHG155N60EFGE3
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