Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2799929 N. Art. Produtt.:
SIHR080N60E-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 51 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = 8 x 8LR
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 51 A | Tensione massima drain source: | 600 V | Tipo di package: | 8 x 8LR | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2799929, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHR080N60ET1GE3 |
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