Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2800006 N. Art. Produtt.:
SIZF4800LDT-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 36 A
Tensione massima drain source = 80 V
Tipo di package = 3 x 3FS
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 12
Modalità del canale = Enhancement
Numero di elementi per chip = 2 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 36 A | Tensione massima drain source: | 80 V | Tipo di package: | 3 x 3FS | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 12 | Modalità del canale: | Enhancement | Numero di elementi per chip: | 2 | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2800006, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIZF4800LDTT1GE3 |
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